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《科技》美光率先量产1z奈米DRAM

2019-08-27 13:51:40 军事189℃

  《科技》美光率先量产1z奈米DRAM "记忆体大厂美商美光科技(Nasdaq:MU)今日宣布DRAM扩充的进展,成为首家开始使用1z奈米製程技术量产16Gb DDR4产品的记忆体公司。美光科技技术开发执行副总裁Scott DeBoer表示,现今扩充DRAM条件变得更加複杂,开发和量产业界最小尺寸的DRAM节点展现了美光世界级的工程和製造能力。率先进入市场让美光拥有竞争优势。与上一代1y奈米节点相比,美光的1z奈米16Gb DDR4产品显着提高位元密度、大幅增进效能并降低成本。并促进美光持续记忆体大厂美商美光科技(Nasdaq:MU)今日宣布DRAM扩充的进展,成为首家开始使用1z奈米製程技术量产16Gb DDR4产品的记忆体公司。美光科技技术开发执行副总裁Scott DeBoer表示,现今扩充DRAM条件变得更加複杂,开发和量产业界最小尺寸的DRAM节点展现了美光世界级的工程和製造能力。率先进入市场让美光拥有竞争优势。与上一代1y奈米节点相比,美光的1z奈米16Gb DDR4产品显着提高位元密度、大幅增进效能并降低成本。并促进美光持续改善其运算DRAM(DDR4)、行动DRAM(LPDDR4)和图形DRAM(GDDR6)产品系列的相对效能和功耗。对于包括人工智慧、自动驾驶车辆、5G、行动装置、图形、游戏、网路基础设施和伺服器等应用而言,功率和效能之间的优化平衡是关键的差异化因素。美光透过量产16Gb DDR4记忆体解决方案,开始将技术移转至1z奈米,功耗可较上一代8Gb DDR4产品降低约40%。美光全面的1z奈米DDR4产品组合也满足资料中心对更高效能、高容量和更低功耗,日益增长的需求。美光今日也宣布已开始批量出货基于UFS规範多晶片封装uMCP4的业界最高容量单片16Gb低功率双倍资料速率4X(LPDDR4X)DRAM。美光的1z奈米LPDDR4X和uMCP4,可因应行动装置製造商寻求更低功率和更小封装,以设计具有吸引人的规格尺寸和长电池寿命的装置需求。美光行动事业单位资深副总裁暨总经理RajTalluri表示,无论在旗舰智慧型手机,或是中高端行动装置,都显示资料密集型行动应用正推动消费者对高容量记忆体和储存装置需求成长的趋势。新的16Gb LPDDR4X旨在满足当今资料量极大的应用需求,同时确保能够满足先进人工智慧未来在边缘和高频宽5G应用上的处理需求。美光科技宣布,推出业界最高容量的单片16Gb低功率双倍资料速率4X(LPDDR4X)DRAM。美光的16Gb LPDDR4X能够在单一智慧型手机中提供高达16GB的低功率DRAM(LPDRAM),扩大了公司在目前和次世代行动装置记忆体容量和效能方面的领导地位。美光LPDDR4X也提供基于UFS规範的多晶片封装(uMCP4)。美光开始批量出货LPDDR4X和uMCP4。">

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